粉末触头属于片状电触头的一种，由脆性大、分断性能好的电接触材料制成。
AgC、AgW、AgWC、AgWCC、AgNiC、CuW等。
平面、弧面及球面片状粉末触头外形尺寸的极限偏差(单位为毫米)
| 长度、宽度、外径等外形尺寸 | 厚度(T) | ||||
| 公称尺寸 | 允差 | 公称尺寸 | 允差 | ||
| 轧制、挤压 合金电触头 | 粉末压制 合金电触头 | 熔渗 合金电触头 | |||
| ≤3 | +0.04 | 0.4～1.0 | -0.06 | -0.12 | -0.15 |
| -0.10 | |||||
| 3～6 | +0.06 | 1.0～1.5 | -0.10 | -0.15 | -0.20 |
| -0.12 | |||||
| 6～10 | +0.08 | 1.5～2.0 | -0.12 | -0.20 | -0.25 |
| -0.15 | |||||
| 10～18 | +0.10 | 2.0～3.0 | -0.15 | -0.25 | -0.30 |
| -0.17 | |||||
| 18～30 | +0.12 | ＞3.0 | -0.20 | -0.30 | -0.35 |
| -0.21 | |||||
| 30～50 | +0.14 | ||||
| -0.25 | |||||
| 50～80 | +0.16 | ||||
| -0.30 | |||||
注：平面、弧面及球面粉末触头厚度的极限偏差：当厚度大于1mm时，除熔渗合金电触头为IT15外其余为IT14(见GB/T1800.1一2009)，也可按表1的规定；当厚度小于或等于1mm时，按表1的规定。
银石墨
| 名称 标识 | 性能特点 | 主要应用领域 |
| AgC | 银石墨是环保型材料，用挤压、切片法制造的AgC材料中C呈纤维状分布垂直于工作面与电流方向平行，独特的脱碳工艺使触点焊接面形成可用于焊接的银层，由于C的脆性，使AgC成为所有触头材料中抗熔焊性最好的材料，而且AgC的接触电阻较低。 | 断路器 |
| 名称标识 | 制造工艺 | 银含量 (Wt.%) | 密度 (g/cm³) | 电阻率 (μΩ.cm) | 维氏硬度 (HV) |
| AgC(3) | 挤压型工艺 | 96～98 | ≥9.10 | ≤2.20 | ≥40 |
| AgC(4) | 95～97 | ≥8.80 | ≤2.30 | ≥40 | |
| AgC(5) | 94～96 | ≥8.60 | ≤2.50 | ≥40 | |
| AgC(7) | 92～94 | ≥7.95 | ≤2.80 | ≥40 | |
| AgC(3) | 粉末压制型工艺 | 96～98 | ≥9.10 | ≤2.40 | ≥40 |
| AgC(5) | 94～96 | ≥8.60 | ≤3.20 | ≥40 |
 |  | |
| AgC(4) 200X 横向 | AgC(4) 200X 纵向 |
银钨
| 名称 标识 | 性能特点 | 主要应用领域 |
| AgW | 银钨材料既具有银的良好导电性和易加工性，又具有钨的高熔点、高硬度、耐电弧侵蚀、抗熔焊、材料转移少的特性。其最大特点就是对大电流电弧的承受能力强。 | 断路器 |
| 名称标识 | 制造工艺 | 银含量 (Wt.%) | 密度 (g/cm³) | 电阻率 (μΩ.cm) | 维氏硬度 (HV) |
| AgW(40) | 熔渗工艺 | 58.5～61.5 | ≥12.40 | ≤2.60 | ≥90 |
| AgW(50) | 48～52 | ≥13.15 | ≤3.00 | ≥110 | |
| AgW(55) | 43～47 | ≥13.55 | ≤3.20 | ≥120 | |
| AgW(60) | 38～42 | ≥14.00 | ≤3.40 | ≥130 | |
| AgW(65) | 33～37 | ≥14.50 | ≤3.60 | ≥140 | |
| AgW(70) | 28～32 | ≥14.90 | ≤3.80 | ≥155 | |
| AgW(80) | 18～22 | ≥16.10 | ≤4.60 | ≥185 |
AgW(50) 200X
银碳化钨
| 名称 标识 | 性能特点 | 主要应用领域 |
| AgWC | 银碳化钨材料既具有银的良好导电性和易加工性，又具有碳化钨的高熔点、高硬度、耐电弧侵蚀、接触电阻略高于银钨，但很稳定，由于电弧作用时游离碳起着还原作用防止氧化层生成耐电弧作用好，因而烧损少，熔焊倾向小可与银镍配对使用。 | 断路器 |
| 名称标识 | 制造工艺 | 银含量 (Wt.%) | 密度 (g/cm³) | 电阻率 (μΩ.cm) | 维氏硬度 (HV) |
| AgWC(40) | 熔渗工艺 | 57～63 | ≥11.60 | ≤3.45 | ≥110 |
| AgWC(45) | 52～58 | ≥11.82 | ≤4.15 | ≥120 | |
| AgWC(50) | 47～53 | ≥12.05 | ≤4.50 | ≥135 | |
| AgWC(60) | 57～63 | ≥12.55 | ≤5.00 | ≥150 |
AgWC(40) 200X
银碳化钨石墨
| 名称 标识 | 性能特点 | 主要应用领域 |
| AgWCC | 银碳化钨石墨材料既具备银优良的导电性能与良好成型加工特性，又依托碳化钨带来高熔点、高硬度、强耐电弧侵蚀的优势，同时添加石墨赋予独特自润滑效果，整体接触电阻略高于银钨且长期运行稳定；电弧作用下析出的游离碳可还原金属、抑制高阻氧化膜产生，大幅降低触头烧损，显著减弱熔焊倾向。 | 断路器 |
| 名称标识 | 制造工艺 | 银含量(Wt.%) | 密度(g/cm³) | 电阻率(μΩ.cm) | 维氏硬度(HV) |
| AgWC(12)C(3) | 粉末压制工艺 | 84～86 | ≥9.40 | ≤3.40 | ≥46 |
| AgWC(20)C(0.25) | 79～81 | ≥10.65 | ≤2.60 | ≥50 | |
| AgWC(20)C(3) | 76～78 | ≥9.60 | ≤3.55 | ≥50 | |
| AgWC(22)C(3) | 74～76 | ≥9.89 | ≤3.55 | ≥65 | |
| AgWC(26)C(1) | 72～75 | ≥10.15 | ≤3.40 | ≥60 | |
| AgWC(27)C(3) | 68～71 | ≥9.75 | ≤3.70 | ≥65 | |
| AgWC(37)C(3) | 59～61 | ≥10.15 | ≤6.00 | ≥70 |
AgWC(12)C(3) 200X
银镍石墨
| 名称 标识 | 性能特点 | 主要应用领域 |
| AgNiC | 银镍石墨材料既具有银优异的导电性与良好塑性加工性能，又具备镍的高强度、抗电弧、抗金属转移特性，接触电阻小幅上升但运行稳定，电弧作用下游离碳可还原接触面、阻止绝缘氧化层形成，有效减少触头烧损，熔焊倾向低。 | 断路器 |
| 名称标识 | 制造工艺 | 银含量 (Wt.%) | 密度 (g/cm³) | 电阻率 (μΩ.cm) | 维氏硬度 (HV) |
| AgNi(25)C(2) | 粉末压制工艺 | 72～74 | ≥9.10 | ≤3.50 | ≥50 |
| AgNi(50)C(3) | 46～48 | ≥8.45 | ≤5.50 | ≥60 |
AgNi(30)C(3) 200X
铜钨
| 名称 标识 | 性能特点 | 主要应用领域 |
| CuW | 铜钨材料既具有铜优良的导热导电性能和较好加工成型性，又具有钨的超高熔点、高硬度、强耐电弧侵蚀特性，接触电阻高于银基合金但高温工况下稳定性佳，电弧作用下铜快速汽化形成缓冲气膜保护基体，不易生成高阻氧化层，触头烧损量小，熔焊倾向低，多用于高压开关、断路器触头配套使用。 | 断路器 |
| 名称标识 | 制造工艺 | 铜含量 (Wt.%) | 密度 (g/cm³) | 电阻率 (μΩ.cm) | 维氏硬度 (HV) |
| CuW(50) | 熔渗工艺 | 48～52 | ≥11.85 | ≤3.20 | ≥115 |
| CuW(55) | 43～47 | ≥12.30 | ≤3.50 | ≥125 | |
| CuW(60) | 38～42 | ≥12.75 | ≤3.70 | ≥140 | |
| CuW(70) | 28～32 | ≥13.80 | ≤4.10 | ≥175 | |
| CuW(75) | 23～27 | ≥14.50 | ≤4.50 | ≥195 | |
| CuW(80) | 18～22 | ≥15.15 | ≤5.00 | ≥220 |
 |  | |
| CuW(70) 200X | CuW(80) 200X |
